湖人半导体（深圳）有限公司

FQD10N20C概述

该N沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQD10N20C特性

7.8A, 200V, RDS(on) = 360mΩ（值）@VGS = 10 V, ID = 3.9A栅极电荷低（典型值：20nC)

低 Crss（典型值40.5pF)

100% 经过雪崩击穿测试

FQD10N20C参数数据列表D-PAK Tape and Reel Data;

FQD/ FQU10N20C;标准包装2,500包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列QFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7.8A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）26nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）510pF @ 25VVgs（值）±30VFET 功能-功率耗散（值）50W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）360 毫欧 @ 3.9A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D-Pak封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63